IRFB4110PBFの回路保護のための分離した半導体のトランジスター
カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
1.33
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
プロダクト モデル:
IRFB4110PBF
製造者のパッケージ:
TO-220-3
簡潔な説明:
MOSFET
製品カテゴリ:
電界効果トランジスタ
アプリケーション領域:
回路保護
製造年月日:
年以内に
ハイライト:
分離した半導体のトランジスター
,IRFB4110PBF
紹介
製品範囲
- 電界効果トランジスタの半導体の分離した半導体のトランジスターMOSFET IRFB4110PBF
- MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC TO-220-3のN-Channel
Appの特徴
- 特徴
- SMPSの高性能の同期改正
- 無停電電源装置
- 高速力の切換え
- 懸命に転換された高周波回路
- 利点
- 改良されたゲート、なだれおよび動的dv/dtの険しさ
- 十分に特徴付けられたキャパシタンスおよびなだれSOA
- 高められたボディ ダイオードdV/dtおよびdI/dtの機能
- 無鉛
- 迎合的なRoHSハロゲンなし
基本データ
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| Infineon | |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| RoHS: | 細部 |
| Si | |
| 穴を通して | |
| TO-220-3 | |
| N-Channel | |
| 1つのチャネル | |
| 100ボルト | |
| 180 A | |
| 3.7のmOhms | |
| - 20ボルト、+ 20ボルト | |
| 1.8 V | |
| 150 NC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 370 W | |
| 強化 | |
| 管 | |
| ブランド: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 構成: | 単一 |
| 高さ: | 15.65 mm |
| 長さ: | 10のmm |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 1000 | |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel |
| 幅: | 4.4 mm |
| 部分#別名: | IRFB4110PBF SP001570598 |
| 単位重量: | 0.068784 oz |
ダウンロードのデータ用紙
適用
- BLDCモーター
- 三相永久マグネット同期電動機
- インバーター
- 半分橋運転者
- ロボティック制御システム
- 電気器具
- 格子下部組織
- EPOS•家のtheate
- 分散パワー系統
- コミュニケーション/ネットワーキングの下部組織
- ndustrial電源•太陽エネルギー
- モーター ドライブ
順序プロセス
| RFQの形態に部品を加えなさい | RFQを堤出しなさい | 私達は24時間以内に答える |
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破片の図表
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
Negotiable