Nチャネルの電界効果トランジスタMosfetの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF
カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
交渉可能
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
プロダクト モデル:
IRFS3207ZTRRPBF
製造者のパッケージ:
TO-263-3
簡潔な説明:
MOSFET
トランジスタ極性:
Nチャンネル
アプリケーション領域:
回路保護
製造年月日:
年以内に
ハイライト:
Nチャネルの電界効果トランジスタ
,電界効果トランジスタMosfet
紹介
MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル
製品範囲
- MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル
- MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
Appの特徴
- 特徴
- SMPSの高性能の同期改正
- 無停電電源装置
- 高速力の切換え
- 懸命に転換された高周波回路
- 利点
- 改良されたゲート、なだれおよび動的dv/dtの険しさ
- 十分に特徴付けられたキャパシタンスおよびなだれSOA
- 高められたボディ ダイオードdV/dtおよびdI/dtの機能
- 無鉛
- 迎合的なRoHSハロゲンなし
基本データ
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| Infineon | |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| RoHS: | 細部 |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TO-263-3 | |
| N-Channel | |
| 1つのチャネル | |
| 75ボルト | |
| 170 A | |
| 4.1のmOhms | |
| - 20ボルト、+ 20ボルト | |
| 4ボルト | |
| 170 NC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 300 W | |
| 強化 | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| 巻き枠 | |
| ブランド: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 構成: | 単一 |
| 落下時間: | 68 ns |
| 前方相互コンダクタンス-分: | 280 S |
| 高さ: | 4.4 mm |
| 長さ: | 10のmm |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 上昇時間: | 68 ns |
| 800 | |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel |
| 幅: | 9.25 mm |
| 部分#別名: | IRFS3207ZTRRPBF SP001565050 |
| 単位重量: | 0.139332 oz |
ダウンロードのデータ用紙
適用
- BLDCモーター
- 三相永久マグネット同期電動機
- インバーター
- 半分橋運転者
- ロボティック制御システム
- 電気器具
- 格子下部組織
- EPOS•家のtheate
- 分散パワー系統
- コミュニケーション/ネットワーキングの下部組織
- ndustrial電源•太陽エネルギー
- モーター ドライブ
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破片の図表
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MOQ:
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