半導体はMosfetのトランジスターNチャネルSTB24N60DM2に動力を与える
カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
プロダクト モデル:
STB24N60DM2
製造者のパッケージ:
TO-263-3
簡潔な説明:
MOSFET
トランジスタ極性:
Nチャンネル
アプリケーション領域:
アプリケーションの切り替え
製造年月日:
年以内に
ハイライト:
半導体力Mosfetのトランジスター
,力MosfetのトランジスターNチャネル
,STB24N60DM2
紹介
製品範囲
- STB24N60DM2半導体は分離したMosfetのトランジスター電界効果トランジスタに動力を与える N-Channel
- N-channel 600 V、0.13 Ωのタイプ。、Dの²朴の21のMDmesh™ DM2力のMOSFETs、TO-220およびTO-247パッケージ
Appの特徴
- 特徴
- 早く回復ボディ ダイオード
- 極端に低いゲート充満および入力キャパシタンス
- 低いオン抵抗
- 100%のなだれはテストした
- 非常に高いdv/dtの険しさ
- Zener保護される
- 記述
- これらの高圧N-channel力のMOSFETsはMDmesh™ DM2の速い回復ダイオード シリーズの部分である。それらは非常に低い回復それらを適したする低いRDSと（）結合される充満（Qrr）および橋地勢学およびZVSの偏移コンバーターの最もデマンドが高い高性能のコンバーターそして理想の時間（trr）を提供する。
基本データ
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| RoHS: | 細部 |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TO-263-3 | |
| N-Channel | |
| 1つのチャネル | |
| 600ボルト | |
| 18 A | |
| 200のmOhms | |
| - 25ボルト、+ 25ボルト | |
| 4ボルト | |
| 29 NC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 150 W | |
| 強化 | |
| FDmesh | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| 巻き枠 | |
| ブランド: | STMicroelectronics |
| 構成: | 単一 |
| 落下時間: | 15 ns |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 上昇時間: | 8.7 ns |
| シリーズ: | STB24N60DM2 |
| 1000 | |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間: | 60 ns |
| 典型的なTurn-On遅れ時間: | 15 ns |
| 単位重量: | 0.139332 oz |
ダウンロードのデータ用紙
適用
- 転換の適用
- BLDCモーター
- 三相永久マグネット同期電動機
- インバーター
- 半分橋運転者
- ロボティック制御システム
- 電気器具
- 格子下部組織
- EPOS•家のtheate
- 分散パワー系統
- コミュニケーション/ネットワーキングの下部組織
順序プロセス
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破片の図表
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
Negotiable