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否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片力管理ICミクロンMT29F32G08CBADBWP

カテゴリー:
メモリーICチップ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、D/P、D/A、L/C、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
プロダクト モデル:
MT29F32G08CBADBWP
製造者のパッケージ:
TSOP-48
簡潔な説明:
NAND フラッシュ
製品カテゴリ:
管理 IC
アプリケーション領域:
メモリーIC
製造年月日:
年以内に
ハイライト:

否定論履積のフラッシュ・メモリIC

,

フラッシュ・メモリICの破片

,

MT29F32G08CBADBWP

紹介

否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片力管理ICミクロンMT29F32G08CBADBWP

 

製品範囲
 
  • 否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片力管理ICミクロンMT29F32G08CBADBWP
  • 32Gbの非同期/同期否定論履積の特徴の
Appの特徴
  • 開いた否定論履積抜け目がないインターフェイス(ONFI) 2.3-compliant1
  • 多数レベルの細胞(MLC)の技術•構成
    • ページ サイズx8:8936バイト(8192の+ 744バイト)
    • ブロック サイズ:256ページ(2048K + 186Kバイト)
    • 平らなサイズ:平面ごとの2つの平面x 1064のブロック
    • 装置サイズ:32Gb:2128のブロック;64Gb:4156のブロック;
  • 同期入力/出力の性能
    • まで同期タイミング モード4
    • クロック レート:12ns (DDR)
    • ピンごとの読み書き効率:166MT/s
  • 非同期入力/出力の性能
    • まで非同期タイミング モード5
    • tRC/tWC:20ns (分)
    • ピンごとの読み書き効率:50MT/s
  • 配列の性能
    • 読まれたページ:100µs (MAX)
    • プログラム ページ:1300µs (タイプ)
    • 消去のブロック:3ms (タイプ)
  • 作動の電圧範囲
    • VCC:2.7-3.6V
    • VCCQ:2.7-3.6V
  • 命令セット:ONFI否定論履積の抜け目がない議定書
  • 高度命令セット
    • プログラム隠し場所
    • 順次読まれた隠し場所
    • 任意読まれた隠し場所
    •  
    • 一度だけのプログラム可能な(OTP)モード
    • 複数の平面命令
    • 複数のLUN操作
    • 読まれた独特なID
    • Copyback
    • 読まれた再試行
    • シングル レベルの細胞(SLC) mode2
    • ユーザーの非選択可能なデータrandomization2
基本データ
製品特質 属性値
ミクロン
製品カテゴリ: ゲートの運転者
RoHS: 細部
記憶IC
SMD/SMT
TSOP-48
MT29F32G08CBADBWPR:D
巻き枠
テープを切りなさい
巻き枠
ブランド: ミクロン
敏感な湿気: はい
製品タイプ: ゲートの運転者
2500
下位範疇: 否定論履積のフラッシュ
技術: Si
商号: NexFET
単位重量: 0.001686 oz

 

ダウンロードのデータ用紙
 
  • 否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片力管理ICミクロンMT29F32G08CBADBWP
適用
  •  Ultrabook/ノートDC/DCのコンバーター
  •  多相VcoreおよびDDRの解決
  •  NetworkingTelecomのポイントの負荷同期木びき台、および計算機システム
  •  電池式システム
  •  携帯用HDMIの適用
  •  USB-OTGの適用
  •  携帯電話、スマートな電話
順序プロセス
  • RFQの形態に部品を加えなさい RFQを堤出しなさい 私達は24時間以内に答える
    順序を確認する 支払 船あなたの順序

 

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適用
  •  段階で広く利用された
  •  コンサート
  •  TVに住みなさい
  •  新しいエネルギー
  •  家庭用電化製品
  •  3Cデジタル
  •  自動車電子工学
  •  計器
破片の図表

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ストック:
MOQ:
Negotiable