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単一C3M0120100Kの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
C3M0120100K
製造業者:
クリー語/Wolfspeed
記述:
1000V、120 MOHM、G3 SIC MOSFET
部門:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
家族:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
シリーズ:
C3M™
紹介

C3M0120100Kの指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ N-Channel
技術 SiCFET (炭化ケイ素)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 1000V (1kV)
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 22A
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 15V
Vgs ((最高) Th) @ ID 3.5V @ 3mA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 21.5nC @ 15V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 350pF @ 600V
Vgs (最高) ±15V
FETの特徴 -
電力損失(最高) 83W (Tc)
(最高) @ ID、VgsのRds 170 mOhm @ 15A、15V
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 穴を通して
製造者装置パッケージ -
パッケージ/場合 4-SIP
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

C3M0120100Kの包装

検出

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ストック:
MOQ:
Negotiable