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穴の土台を通したAPT45GP120BG力モジュールIGBT 1200V 100A

カテゴリー:
IGBTパワーモジュール
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
APT45GP120BG
製造業者:
Microsemi Corporation
記述:
IGBT 1200V 100A 625W TO247
部門:
単一トランジスター- IGBTs -
家族:
単一トランジスター- IGBTs -
シリーズ:
力MOS 7®
ハイライト:

APT45GP120BG

,

IGBT 1200V 100A

,

IGBT 100A 1200V

紹介

単一APT45GP120BG IGBT力モジュールのトランジスターIGBTs

APT45GP120BGの指定

部分の状態 活動的
IGBTのタイプ PT
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 1200V
現在-コレクター((最高) IC) 100A
現在-脈打つコレクター(Icm) 170A
Vce () (最高) @ Vge、IC 3.9V @ 15V、45A
パワー最高 625W
転換エネルギー 900µJ ()、904µJ ()
入れられたタイプ 標準
ゲート充満 185nC
Td (オン/オフ) @ 25°C 18ns/102ns
テスト条件 600V、45A、5オーム、15V
逆の回復時間(trr) -
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 穴を通して
パッケージ/場合 TO-247-3
製造者装置パッケージ TO-247 [B]
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。
 

APT45GP120BGの包装

検出

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