IGBT CoolMOS力の分離した半導体SPW35N60C3のトランジスターMosfet IGBT N CH 650V 34.6A
カテゴリー:
IGBTパワーモジュール
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、D/P、D/A、L/C、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
プロダクト モデル:
NGTB40N120SWG
製造者のパッケージ:
TO247-3
簡潔な説明:
IGBT CoolMOS
製品カテゴリ:
IGBTパワーモジュール
アプリケーション領域:
充電パイル
製造年月日:
年以内に
ハイライト:
力の分離した半導体
,SPW35N60C3
,トランジスターMosfet IGBT
紹介
製品範囲
- IGBT CoolMOSの分離した半導体SPW35N60C3 MOSFET N CH 650V 34.6A TO247-3
Appの特徴
- 新しい革命的な高圧技術
- 超低いゲート充満
- 周期的ななだれは評価した
- 極度なdv /dtは評価した
- 超低く有効なキャパシタンス
- 改善された相互コンダクタンス
基本データ
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| Infineon | |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| RoHS: | 細部 |
| Si | |
| 穴を通して | |
| TO-247-3 | |
| N-Channel | |
| 1つのチャネル | |
| 600ボルト | |
| 34.6 A | |
| 100つのmOhms | |
| - 20ボルト、+ 20ボルト | |
| 2.1 V | |
| 150 NC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 313 W | |
| 強化 | |
| CoolMOS | |
| 管 | |
| ブランド: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 構成: | 単一 |
| 落下時間: | 10 ns |
| 前方相互コンダクタンス-分: | 36 S |
| 高さ: | 21.1 mm |
| 長さ: | 16.13 mm |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 上昇時間: | 5 ns |
| シリーズ: | CoolMOS C3 |
| 240 | |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間: | 70 ns |
| 典型的なTurn-On遅れ時間: | 10 ns |
| 幅: | 5.21 mm |
| 部分#別名: | SPW35N6C3XK SP000014970 SPW35N60C3FKSA1 |
| 単位重量: | 0.211644 oz |
ダウンロードのデータ用紙
- IGBT CoolMOSの分離した半導体SPW35N60C3 MOSFET N CH 650V 34.6A TO247-3
適用
- 段階、コンサート、ネットワーク コミュニケーション、Smartphonesで広く利用されたノートがアダプターのカメラのドングルに動力を与えるラップトップを錠剤にする
順序プロセス
| RFQの形態に部品を加えなさい | RFQを堤出しなさい | 私達は24時間以内に答える |
| 順序を確認する | 支払 | 船あなたの順序 |
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破片の図表
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
Negotiable