STP110N8F6 Mosfetの適用を転換するための分離した半導体デバイス
カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
プロダクト モデル:
STP110N8F6
製造者のパッケージ:
TO-220-3
簡潔な説明:
パワーMOSFET
トランジスタ極性:
Nチャンネル
アプリケーション領域:
アプリケーションの切り替え
製造年月日:
年以内に
ハイライト:
分離した半導体デバイス
,分離したMosfet
,STP110N8F6
紹介
製品範囲
- IDiscreteの半導体のトランジスターMOSFET STMicroelectronics STP110N8F6の転換の塗布
- MOSFETのN-channel 80 Vの0.0056のΩのタイプ。、110 A、STripFET™ F6 T0-220
Appの特徴
- 非常に低いオン抵抗
- まさに低いゲート充満
- 高いなだれの険しさ
- 低いゲート ドライブ電源切れ
- この装置は新しい堀のゲートの構造とのSTripFET™ F6の技術を使用してN-channel力MOSFET成長したである。生じる力MOSFETはすべてのパッケージの非常に低いRDSを（）表わす。
基本データ
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| RoHS: | 細部 |
| Si | |
| 穴を通して | |
| TO-220-3 | |
| N-Channel | |
| 1つのチャネル | |
| 80ボルト | |
| 110 A | |
| 6.5のmOhms | |
| - 20ボルト、+ 20ボルト | |
| 2.5 V | |
| 150 NC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 200 W | |
| 強化 | |
| STripFET | |
| 管 | |
| ブランド: | STMicroelectronics |
| 構成: | 単一 |
| 落下時間: | 48 ns |
| 高さ: | 15.75 mm |
| 長さ: | 10.4 mm |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 上昇時間: | 61 ns |
| シリーズ: | STP110N8F6 |
| 1000 | |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel力MOSFET |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間: | 162 ns |
| 典型的なTurn-On遅れ時間: | 24 ns |
| 幅: | 4.6 mm |
| 単位重量: | 0.068784 oz |
ダウンロードのデータ用紙
- N-channel 80 Vの0.0056のΩのタイプ。、110 A、TO-220パッケージのSTripFET™ F6力MOSFET
適用
- 転換の適用
- BLDCモーター
- 三相永久マグネット同期電動機
- インバーター
- 半分橋運転者
- ロボティック制御システム
- 電気器具
- 格子下部組織
- EPOS•家のtheate
- 分散パワー系統
- コミュニケーション/ネットワーキングの下部組織
順序プロセス
| RFQの形態に部品を加えなさい | RFQを堤出しなさい | 私達は24時間以内に答える |
| 順序を確認する | 支払 | 船あなたの順序 |
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破片の図表
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
Negotiable