MT29F2G16ABAEAWP:E否定論履積のフラッシュ・メモリの破片128MX16 EEPROM ICS
仕様
プロダクト モデル:
MT29F2G16ABAEAWP:E
製造者のパッケージ:
TSOP-48
簡潔な説明:
DDR SDRAM
製品カテゴリ:
NAND フラッシュ
アプリケーション領域:
メモリーIC
製造年月日:
年以内に
ハイライト:
否定論履積のフラッシュ・メモリの破片
,EEPROM ICS
,MT29F2G16ABAEAWP:E
紹介
MT29F2G16ABAEAWP:Eの記憶IC否定論履積抜け目がないミクロンのデータ記憶128MX16 EEPROM IC
否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片力管理ICミクロンMT29F32G08CBADBWP
製品範囲
- 抜け目がない-否定論履積の記憶IC 2Gbit平行48-TSOP
Appの特徴
- VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
- に下位互換VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
- DDR3L装置を1.5V適用で後方に互換性があるために支える
- 差動二方向データ ストロボ
- 8nビット先取りの建築
- データ、ストロボおよびマスク信号のためのわずかな、動的オン ダイスの終了(ODT)
- プログラム可能なCASの(読まれる)潜伏(CL)
- プログラム可能な掲示されたCASの付加的な潜伏(AL)
- プログラム可能なCASの(書きなさい)潜伏(CWL)
- 8および破烈のチョップの固定破烈させた長さ(BL) (紀元前に)
指定
製品特質 | 属性値 |
---|---|
マイクロン・テクノロジ | |
製品カテゴリ: | 否定論履積のフラッシュ |
RoHS: | 細部 |
SMD/SMT | |
TSOP-48 | |
MT29F | |
2 Gbit | |
平行 | |
128のM X 16 | |
非同期 | |
16ビット | |
2.7 V | |
3.6 V | |
35 mA | |
0 C | |
+ 70 C | |
巻き枠 | |
テープを切りなさい | |
巻き枠 | |
ブランド: | ミクロン |
記憶タイプ: | 否定論履積 |
プロダクト: | 否定論履積のフラッシュ |
製品タイプ: | 否定論履積のフラッシュ |
標準: | 支えられない |
1000 | |
下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
タイプ: | ブート ブロック無し |
ダウンロードのデータ用紙
- 否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片DDR SDRAMミクロンMT41K256M16HA-125:E
適用
- Ultrabook/ノートDC/DCのコンバーター
- 多相VcoreおよびDDRの解決
- NetworkingTelecomのポイントの負荷同期木びき台、および計算機システム
- 電池式システム
- 携帯用HDMIの適用
- USB-OTGの適用
- 携帯電話、スマートな電話
順序プロセス
-
RFQの形態に部品を加えなさい RFQを堤出しなさい 私達は24時間以内に答える 順序を確認する 支払 船あなたの順序
より多くの記憶IC破片モデル
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24LC32BT | 24LC64T | 24LC128T | 24LC256BT |
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W25Q512JVEIQ | W25Q512JVFIQ | W25Q512JVFIM | W25Q512JVEIM |
適用
- 段階で広く利用された
- コンサート
- TVに住みなさい
- 新しいエネルギー
- 家庭用電化製品
- 3Cデジタル
- 自動車電子工学
- 計器
破片の図表
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
Negotiable