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単一DMG4468LFGの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
DMG4468LFG
製造業者:
組み込まれるダイオード
記述:
MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
部門:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
家族:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
紹介

DMG4468LFGの指定

部分の状態 Digiキーで中断される
FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 30V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 7.62A (Ta)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) -
Vgs ((最高) Th) @ ID 2V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 18.85nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 867pF @ 10V
Vgs (最高) -
FETの特徴 -
電力損失(最高) 990mW (Ta)
(最高) @ ID、VgsのRds 15 mOhm @ 11.6A、10V
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
製造者装置パッケージ U-DFN3030-8
パッケージ/場合 8-PowerUDFN
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

DMG4468LFGの包装

検出

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ストック:
MOQ:
Negotiable