メッセージを送る
家へ > 製品 > 電界効果トランジスタ > 単一DMN3018SFG-13電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

単一DMN3018SFG-13電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
DMN3018SFG-13
製造業者:
組み込まれるダイオード
記述:
MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
部門:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
家族:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
紹介

DMN3018SFG-13指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 30V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 8.5A (Ta)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 4.5V、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 2.1V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 13.2nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 697pF @ 15V
Vgs (最高) ±25V
FETの特徴 -
電力損失(最高) 1W (Ta)
(最高) @ ID、VgsのRds 21 mOhm @ 10A、10V
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
製造者装置パッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/場合 8-PowerWDFN
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

DMN3018SFG-13包装

検出

単一DMN3018SFG-13電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs単一DMN3018SFG-13電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs単一DMN3018SFG-13電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs単一DMN3018SFG-13電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
Negotiable