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単一STFW60N65M5電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
STFW60N65M5
製造業者:
STMicroelectronics
記述:
MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218
部門:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
家族:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
シリーズ:
MDmesh™ V
紹介

STFW60N65M5指定

部分の状態 時代遅れ
FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 650V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 46A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) -
Vgs ((最高) Th) @ ID 5V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 139nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 6810pF @ 100V
Vgs (最高) -
FETの特徴 -
電力損失(最高) 79W (Tc)
(最高) @ ID、VgsのRds 59 mOhm @ 23A、10V
実用温度 150°C (TJ)
タイプの取付け 穴を通して
製造者装置パッケージ TO-3PF
パッケージ/場合 TO-3P-3完全なパック
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

STFW60N65M5包装

検出

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ストック:
MOQ:
Negotiable