単一STB180N55F3電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs
カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
STB180N55F3
製造業者:
STMicroelectronics
記述:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
部門:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
家族:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
シリーズ:
STripFET™
紹介
STB180N55F3指定
| 部分の状態 | 時代遅れ |
|---|---|
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 55V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 120A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | - |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 100nC @ 10V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Vgs （最高） | - |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 330W （Tc） |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 3.5 mOhm @ 60A、10V |
| 実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | D2PAK |
| パッケージ/場合 | TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB |
| 郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
| 条件 | 新しい元の工場。 |
STB180N55F3包装
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ストック:
MOQ:
Negotiable