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単一STP75N3LLH6電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
STP75N3LLH6
製造業者:
STMicroelectronics
記述:
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
部門:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
家族:
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
シリーズ:
DeepGATE™、STripFET™ VI
紹介

STP75N3LLH6指定

部分の状態 時代遅れ
FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 30V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 75A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) -
Vgs ((最高) Th) @ ID 2.5V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 23.8nC @ 4.5V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 2030pF @ 25V
Vgs (最高) -
FETの特徴 -
電力損失(最高) 60W (Tc)
(最高) @ ID、VgsのRds 5.9 mOhm @ 37.5A、10V
実用温度 -55°C | 175°C (TJ)
タイプの取付け 穴を通して
製造者装置パッケージ TO-220
パッケージ/場合 TO-220-3
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

STP75N3LLH6包装

検出

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ストック:
MOQ:
Negotiable