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RMLV0416EGSB-4S2#HA0記憶IC破片

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RMLV0416EGSB-4S2#HA0記憶IC破片

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大画像 :  RMLV0416EGSB-4S2#HA0記憶IC破片

商品の詳細:
起源の場所: 原物
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最小注文数量: 交渉可能
価格: Negotiable
受渡し時間: 交渉可能
支払条件: T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 100000

RMLV0416EGSB-4S2#HA0記憶IC破片

説明
部品番号: RMLV0416EGSB-4S2#HA0 製造業者: Renesasの電子工学アメリカ
記述: IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP II 部門: 記憶
家族: 記憶

RMLV0416EGSB-4S2#HA0指定

部分の状態 Digiキーで中断される
記憶フォーマット SRAM
記憶タイプ 揮発
記憶容量 4Mb (256K X 16)
速度 45ns
インターフェイス 平行
電圧-供給 2.7 V | 3.6ボルト
実用温度 -40°C | 85°C (TA)
パッケージ/場合 44-TSOP (0.400"、10.16mmの幅)
製造者装置パッケージ 44-TSOP2 (10.2x18.4)
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

RMLV0416EGSB-4S2#HA0包装

検出

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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