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BUK9K29-100Eの115の電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

カテゴリー:
電界効果トランジスタ
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
記述:
MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
部品番号:
BUK9K29-100E、115
製造業者:
Nexperia USA Inc。
部門:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
家族:
トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
シリーズ:
、AEC-Q101、TrenchMOS™自動車
紹介

BUK9K29-100Eの115の指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ 2 N-Channel (二重)
FETの特徴 論理のレベルのゲート
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 100V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 30A
(最高) @ ID、VgsのRds 27 mOhm @ 10A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 2.1V @ 1mA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 54nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 3491pF @ 25V
パワー最高 68W
実用温度 -55°C | 175°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 SOT-1205、8-LFPAK56
製造者装置パッケージ LFPAK56D
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

BUK9K29-100E、包む115

検出

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MOQ:
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