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APT50GT60BRDQ2G 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ IGBT モジュール マイクロセミ株式会社 50GT60

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APT50GT60BRDQ2G 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ IGBT モジュール マイクロセミ株式会社 50GT60

APT50GT60BRDQ2G 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ IGBT モジュール マイクロセミ株式会社 50GT60
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大画像 :  APT50GT60BRDQ2G 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ IGBT モジュール マイクロセミ株式会社 50GT60

商品の詳細:
起源の場所: 原物
ブランド名: Microsemi Corporation
モデル番号: APT50GT60BRDQ2G
お支払配送条件:
最小注文数量: 交渉可能
価格: Negotiable
受渡し時間: 交渉可能
支払条件: T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 100000

APT50GT60BRDQ2G 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ IGBT モジュール マイクロセミ株式会社 50GT60

説明
部品番号: APT50GT60BRDQ2G 製造業者: Microsemi Corporation
記述: IGBT 600V 110A 446W TO247 部門: 単一トランジスター- IGBTs -
家族: 単一トランジスター- IGBTs - シリーズ: 落雷IGBT®
ハイライト:

APT50GT60BRDQ2G

,

絶縁されたゲートの両極トランジスターIGBT

,

IGBTはゲートの両極トランジスターを絶縁した

APT50GT60BRDQ2G IGBT パワーモジュール トランジスタ IGBT シングル

APT50GT60BRDQ2Gの仕様

部品のステータス アクティブ
IGBTの種類 NPT
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) 600V
電流 - コレクタ (Ic) (最大) 110A
電流 - コレクタパルス (Icm) 150A
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic 2.5V @ 15V、50A
パワー - 最大 446W
スイッチングエネルギー 995μJ (オン)、1070μJ (オフ)
入力方式 標準
ゲートチャージ 240nC
Td (オン/オフ) @ 25°C 14ns/240ns
試験条件 400V、50A、5オーム、15V
逆回復時間 (trr) 22ns
動作温度 -55℃~150℃(TJ)
取付タイプ スルーホール
パッケージ・ケース TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247 [B]
出荷 UPS/EMS/DHL/フェデックスエクスプレス。
状態 新しいオリジナル工場
 

APT50GT60BRDQ2G パッケージング

 

 

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の関連部品APT50GT60BRDQ2G

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LM1117MPX-ADJ/NOPB REF5050AIDGKR IPC100N04S5-1R9
REF5050AIDGKR IPC100N04S5-1R9 SN74AHC1G125DBVR
IPC100N04S5-1R9 SN74AHC1G125DBVR MAX9737ETG+T

 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 

 

 

 

 

 

 

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    サマンサ・スミス
    注文した電子部品は予定通りに到着し、良好な状態でした。製品の品質と販売者が提供するサービスのレベルに感心しています。
    2018 年 5 月 27 日
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    アダム・テイラー
    電子部品の購入を検討している人にはこの販売者を強くお勧めします。価格は競争力があり、配送は迅速かつ効率的でした。受け取った製品は説明どおりで、購入に非常に満足しています。
    2019 年 4 月 16 日

 

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    ヘレナ・ガルシア
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    2020 年 1 月 2 日

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