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power mosfet transistor

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半導体はMosfetのトランジスターNチャネルSTB24N60DM2に動力を与える

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BLDCによっては電界効果トランジスタ力Mosfet IPB017N10N5 Infineonが自動車に乗る

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回路保護力Mosのトランジスター破片IPD060N03LGATMA1

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Infineon Technologies Mosfet シングル IGBT パワーモジュール トランジスタ 600V 23A 100W IRG4BC30UDPBF

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STP110N8F6 Mosfetの適用を転換するための分離した半導体デバイス

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Nチャネルの電界効果トランジスタMosfetの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF

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IRFB4110PBFの回路保護のための分離した半導体のトランジスター

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SMD/SMTの電界効果トランジスタの大規模集積回路の保護IRF8736TRPBF 30V 18A

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IGBT CoolMOS力の分離した半導体SPW35N60C3のトランジスターMosfet IGBT N CH 650V 34.6A

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AO4266E フィールド効果トランジスタ Nチャネル 60V 11A モスフェット 単面マウント SOP8

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イメージ部分#記述メーカーストックRFQ
単一STP15NM65Nの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

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STP7NM50N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

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住所: COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO王ST MONGKOKKL
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