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回路保護力Mosのトランジスター破片IPD060N03LGATMA1

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回路保護力Mosのトランジスター破片IPD060N03LGATMA1

回路保護力Mosのトランジスター破片IPD060N03LGATMA1
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大画像 :  回路保護力Mosのトランジスター破片IPD060N03LGATMA1

商品の詳細:
ブランド名: Infineon Technologies
モデル番号: IPD060N03LGATMA1
お支払配送条件:
最小注文数量: 交渉可能
価格: Negotiable
受渡し時間: すぐに出荷できる
支払条件: T/T、D/P、D/A、L/C、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 利用できる量300000部分

回路保護力Mosのトランジスター破片IPD060N03LGATMA1

説明
プロダクト モデル: IPD060N03LGATMA1 製造者のパッケージ: TO-252-3
簡潔な説明: MOSFET N-CH 30V 50A 製品カテゴリ: 単一FETs -
アプリケーション領域: 回路保護の破片 製造年月日: 年以内に
ハイライト:

力Mosのトランジスター破片

,

回路保護力Mosのトランジスター

電界効果トランジスタの破片の分離した半導体回路の保護IPD060N03LGATMA1

 

製品範囲
  • OptiMOSª3か。パワー トランジスター、MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
基本データ

 

製品特質 属性値
Infineon
製品カテゴリ: MOSFET
RoHS: 細部
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1つのチャネル
30ボルト
50 A
6つのmOhms
- 20ボルト、+ 20ボルト
2.2 V
14.4のNC
- 55 C
+ 175 C
56 W
強化
OptiMOS
巻き枠
テープを切りなさい
ブランド: インフィニオン・テクノロジーズ
構成: 単一
落下時間: 3 ns
前方相互コンダクタンス-分: 34 S
高さ: 2.3 mm
長さ: 6.5 mm
製品タイプ: MOSFET
上昇時間: 3 ns
シリーズ: OptiMOS 3
2500
下位範疇: MOSFETs
トランジスター タイプ: 1つのN-Channel
典型的なTurn-Off遅れ時間: 20 ns
典型的なTurn-On遅れ時間: 5 ns
幅: 6.22 mm
部分#別名: IPD060N03L G SP000680632
単位重量: 0.011640 oz
適用
  • 転換の適用
  • BLDCモーター
  • 三相永久マグネット同期電動機
  • インバーター
  • 半分橋運転者
  • ロボティック制御システム
  • 電気器具
  • 格子下部組織
  • EPOS•家のtheate
  • 分散パワー系統
  • コミュニケーション/ネットワーキングの下部組織
ダウンロードのデータ用紙
  • IPD060N03LGATMA1電界効果トランジスタの破片の分離した半導体回路の保護
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AO4433
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AOD454 AOD480 AOD4144 AOD496

AOZ1016AI

 
AOZ1050AI
AOZ1073AI AOZ1046AI AOZ1036PI AOZ1050PI AOZ1280CI AOZ1284I
破片の図表

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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