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回路保護のためのIRFS3207Z力の電界効果トランジスタMosfetの破片75V 170A

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回路保護のためのIRFS3207Z力の電界効果トランジスタMosfetの破片75V 170A

回路保護のためのIRFS3207Z力の電界効果トランジスタMosfetの破片75V 170A
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大画像 :  回路保護のためのIRFS3207Z力の電界効果トランジスタMosfetの破片75V 170A

商品の詳細:
ブランド名: Infineon Technologies
モデル番号: IRFS3207ZTRRPBF
お支払配送条件:
最小注文数量: 交渉可能
価格: Negotiable
受渡し時間: すぐに出荷できる
支払条件: T/T、D/P、D/A、L/C、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 利用できる量300000部分

回路保護のためのIRFS3207Z力の電界効果トランジスタMosfetの破片75V 170A

説明
プロダクト モデル: IRFS3207ZTRRPBF 製造者のパッケージ: TO-263-3
簡潔な説明: N-Channel75V 170A 製品カテゴリ: FET - シングル
アプリケーション領域: 回路保護の破片 製造年月日: 年以内に
ハイライト:

力の電界効果トランジスタ

,

電界効果トランジスタ170A

,

Mosfetの破片75V

IRFS3207Z力Mosfetの電界効果トランジスタの大規模集積回路の保護75V 170A

記述
  • 力MOSFT 75V 170A 4.1mOhmのD2朴のパッケージの単一のN-Channel HEXFET力MOSFET
指定
製品特質 属性値
Infineon
製品カテゴリ: MOSFET
RoHS: 細部
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1つのチャネル
75ボルト
170 A
4.1のmOhms
- 20ボルト、+ 20ボルト
4ボルト
170 NC
- 55 C
+ 175 C
300 W
強化
巻き枠
テープを切りなさい
MouseReel
ブランド: インフィニオン・テクノロジーズ
構成: 単一
落下時間: 68 ns
前方相互コンダクタンス-分: 280 S
高さ: 4.4 mm
長さ: 10のmm
製品タイプ: MOSFET
上昇時間: 68 ns
800
下位範疇: MOSFETs
トランジスター タイプ: 1つのN-Channel
幅: 9.25 mm
部分#別名: IRFS3207ZTRRPBF SP001565050
単位重量: 0.139332 oz
適用
  • SMPSの高性能の同期改正
  • 無停電電源装置
  • 高速力の切換え
  • 懸命に転換された高周波回路
利点
  •  改良されたゲート、なだれおよび動的dv/dtの険しさ
  •  十分に特徴付けられたキャパシタンスおよびなだれSOA
  •  高められたボディ ダイオードdV/dtおよびdI/dtの機能
  •  無鉛
  •  迎合的なRoHSハロゲンなし
ダウンロードのデータ用紙
順序プロセス

 

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AO4800

AO4433
AO4420 AO4818 AO4476AL AO4478 AO4606 AO4616

AO8810

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AO8830 AOT470 AOT472 AOT430 AOT410L AO6801
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AOD4184L AOD472 AOD413A AOD464 AOD2916AOD4186
AOD454 AOD480 AOD4144 AOD496

AOZ1016AI

 
AOZ1050AI
AOZ1073AI AOZ1046AI AOZ1036PI AOZ1050PI AOZ1280CI AOZ1284I
破片の図表

回路保護のためのIRFS3207Z力の電界効果トランジスタMosfetの破片75V 170A 0回路保護のためのIRFS3207Z力の電界効果トランジスタMosfetの破片75V 170A 1

連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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