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BLA6H0912L-1000Uの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

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BLA6H0912L-1000Uの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

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商品の詳細:
起源の場所: 原物
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最小注文数量: 交渉可能
価格: Negotiable
受渡し時間: 交渉可能
支払条件: T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 100000

BLA6H0912L-1000Uの電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

説明
部品番号: BLA6H0912L-1000U 製造業者: Ampleon USA Inc。
記述: RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A 部門: トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
家族: トランジスター- FETs、MOSFETs - RF

BLA6H0912L-1000Uの指定

部分の状態 活動的
トランジスター タイプ LDMOS (二重)、共通のソース
頻度 1.03GHz
利益 15.5dB
電圧-テスト 50V
現在の評価 -
雑音指数 -
現在-テスト 200mA
パワー出力 1000W
評価される電圧- 100V
パッケージ/場合 SOT539A
製造者装置パッケージ SOT539A
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

BLA6H0912L-1000Uの包装

検出

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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