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MRF1535NT1電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

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MRF1535NT1電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

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大画像 :  MRF1535NT1電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

商品の詳細:
起源の場所: 原物
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最小注文数量: 交渉可能
価格: Negotiable
受渡し時間: 交渉可能
支払条件: T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 100000

MRF1535NT1電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

説明
部品番号: MRF1535NT1 製造業者: NXP USA Inc。
記述: FET RF 40V 520MHZ TO272-6の覆い 部門: トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
家族: トランジスター- FETs、MOSFETs - RF

MRF1535NT1指定

部分の状態 ない新しい設計のために
トランジスター タイプ LDMOS
頻度 520MHz
利益 13.5dB
電圧-テスト 12.5V
現在の評価 6A
雑音指数 -
現在-テスト 500mA
パワー出力 35W
評価される電圧- 40V
パッケージ/場合 TO-272AA
製造者装置パッケージ TO-272-6
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

MRF1535NT1包装

検出

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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