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BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

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BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

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商品の詳細:
起源の場所: 原物
お支払配送条件:
最小注文数量: 交渉可能
価格: Negotiable
受渡し時間: 交渉可能
支払条件: T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 100000
連絡先

BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

説明
部品番号: BLS6G2735LS-30,112 製造業者: Ampleon USA Inc。
記述: RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B 部門: トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
家族: トランジスター- FETs、MOSFETs - RF

BLS6G2735LS-30,112 Specifications

Part Status Active
Transistor Type LDMOS
Frequency 3.1GHz ~ 3.5GHz
Gain 13dB
Voltage - Test 32V
Current Rating -
Noise Figure -
Current - Test 50mA
Power - Output 30W
Voltage - Rated 60V
Package / Case SOT-1135B
Supplier Device Package CDFM2
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

BLS6G2735LS-30,112 Packaging

Detection

BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 0BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 1BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 2BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 3

タグ:

FETの電界効果トランジスタ,

力Mosfetのトランジスター,

Mosfetの破片75VPowerの電界効果トランジスタ

連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

私達に直接お問い合わせを送信 (0 / 3000)

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