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単一STI24N60M2電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

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単一STI24N60M2電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

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商品の詳細:
起源の場所: 原物
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価格: Negotiable
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供給の能力: 100000

単一STI24N60M2電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

説明
部品番号: STI24N60M2 製造業者: STMicroelectronics
記述: MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK 部門: 単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
家族: 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - シリーズ: MDmesh™ IIのプラス

STI24N60M2指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 600V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 18A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 4V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 29nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 1060pF @ 100V
Vgs (最高) ±25V
FETの特徴 -
電力損失(最高) 150W (Tc)
(最高) @ ID、VgsのRds 190 mOhm @ 9A、10V
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 穴を通して
製造者装置パッケージ I2PAK
パッケージ/場合 TO-262-3は長く、私²朴、TO-262AA導く
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

STI24N60M2包装

検出

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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