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商品の詳細:
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| 部品番号: | RQ3E100BNTB | 製造業者: | Rohmの半導体 |
|---|---|---|---|
| 記述: | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | 部門: | 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - |
| 家族: | 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - |
| 部分の状態 | 活動的 |
|---|---|
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 30V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 10A （Ta） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 2.5V @ 1mA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 22nC @ 10V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1100pF @ 15V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 2W （Ta） |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 10.4のmOhm @ 10A、10V |
| 実用温度 | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | 8-HSMT （3.2x3） |
| パッケージ/場合 | 8-PowerVDFN |
| 郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
| 条件 | 新しい元の工場。 |
コンタクトパーソン: Darek
電話番号: +8615017926135
