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DMN2005DLP4K-7電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

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DMN2005DLP4K-7電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

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商品の詳細:
起源の場所: 原物
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最小注文数量: 交渉可能
価格: Negotiable
受渡し時間: 交渉可能
支払条件: T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 100000

DMN2005DLP4K-7電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

説明
部品番号: DMN2005DLP4K-7 製造業者: 組み込まれるダイオード
記述: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN 部門: トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
家族: トランジスター- FETs、MOSFETs -配列

DMN2005DLP4K-7指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ 2 N-Channel (二重)
FETの特徴 標準
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 20V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 300mA
(最高) @ ID、VgsのRds 1.5オーム@ 10mA、4V
Vgs ((最高) Th) @ ID 900mV @ 100µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs -
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds -
パワー最高 400mW
実用温度 -65°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 6-SMDの鉛無し
製造者装置パッケージ X2-DFN1310-6
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

DMN2005DLP4K-7包装

検出

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連絡先の詳細
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

コンタクトパーソン: Darek

電話番号: +8615017926135

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